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元件参数资料
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参数目录49633
> IPP08CN10N G MOSFET N-CH 100V 95A TO-220
型号:
IPP08CN10N G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CH 100V 95A TO-220
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IPP08CN10N G PDF
产品目录绘图
MOSFET TO-220(AB), TO-220-3
标准包装
500
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
95A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
8.5 毫欧 @ 95A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 130µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
100nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
6660pF @ 50V
功率 - 最大
167W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
PG-TO220-3
包装
管件
产品目录页面
1617 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
IPP08CN10N G-ND
IPP08CN10NGIN
IPP08CN10NGX
IPP08CN10NGXK
SP000096465
SP000680844
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